Multigate-Gerät - Fortschritte in der Nanotransistortechnologie
Fouad Sabry
Übersetzer Daniel Hueber
Beschreibung
„Multigate Device“ bietet eine umfassende Einführung in die neuesten Entwicklungen der Nanoelektronik. Diese unverzichtbare Ressource hilft Fachleuten, Studierenden und Enthusiasten gleichermaßen, wichtige Einblicke in zukunftsweisende Halbleitertechnologien zu gewinnen. Ob Sie in der Industrie arbeiten, studieren oder sich einfach für Nanoelektronik begeistern – dieses Buch bietet Ihnen unverzichtbares Wissen für Ihr Verständnis. Multigate-Bauelement-Eine Einführung in die Prinzipien und den Aufbau von Multigate-Bauelementen und ihre Bedeutung in modernen Halbleitertechnologien. 3-nm-Prozess-Ein detaillierter Einblick in die 3-nm-Prozesstechnologie, der ihre Rolle bei der Verkleinerung von Bauelementen und der Leistungssteigerung hervorhebt. 7-nm-Prozess-Der 7-nm-Prozess, seine technologischen Fortschritte und seine Auswirkungen auf die Transistorskalierung werden erläutert. Charge-Trap-Flash-Die Charge-Trap-Flash-Speichertechnologie wird untersucht und ihre Effizienz und Relevanz für Speicherlösungen der nächsten Generation erörtert. Transistor-Eine detaillierte Analyse von Transistoren, ihrer Funktionsweise und ihrer zentralen Rolle in der Nanoelektronik. 22-nm-Prozess-Der 22-nm-Prozess wird vorgestellt und bietet Einblicke in seine Entwicklung und seine Auswirkungen auf Transistordesign und -leistung. Feldeffekttransistor-Feldeffekttransistoren (FETs), ihre Struktur und ihre Bedeutung in der modernen Nanoelektronik werden erläutert. 2-nm-Prozess-Der 2-nm-Prozess wird vorgestellt und erläutert, wie er die Grenzen der Halbleiterminiaturisierung erweitert. 45-nm-Prozess-Der 45-nm-Prozess, ein wichtiger Meilenstein in der Halbleiterentwicklung, wird behandelt, und seine Rolle bei der Verbesserung der Chipleistung. 90-nm-Prozess-Der 90-nm-Prozess und sein Beitrag zur Skalierbarkeit von Halbleiterbauelementen werden untersucht. Mooresches Gesetz-Eine Analyse des Mooreschen Gesetzes, die seine heutige Relevanz und die Herausforderungen im Kontext aktueller Technologietrends untersucht. Herstellung von Halbleiterbauelementen-Ein Überblick über die Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, einschließlich der Herausforderungen und Durchbrüche in diesem Bereich. SONOS-Eine ausführliche Diskussion über die SONOS-Technologie (SiliconOxideNitrideOxideSilicon) und ihre Anwendungen in nichtflüchtigen Speicherbauelementen. Fujio Masuoka-Eine Hommage an Fujio Masuoka, einen Pionier der Speicherbauelemententwicklung, mit Hervorhebung seiner Beiträge zur Halbleitertechnologie. 5-nm-Prozess-Erörtert den 5-nm-Prozess, seine Fortschritte gegenüber früheren Generationen und seine Auswirkungen auf die Leistung und Energieeffizienz von Bauelementen. 14-nm-Prozess-Untersucht den 14-nm-Prozess, seine wichtigsten Merkmale und wie er weitere Fortschritte bei Hochleistungshalbleiterbauelementen ermöglicht hat. International Electron Devices Meeting-Betont die Bedeutung des International Electron Devices Meeting (IEDM) für die Weiterentwicklung der Halbleitertechnologieforschung. Fin-Feldeffekttransistor-Ein Einblick in die FinFET-Technologie, ihre Vorteile gegenüber herkömmlichen planaren FETs und ihre Auswirkungen auf die Transistorskalierung. Silizium-auf-Isolator-Technologie-Erläutert das Konzept der Silizium-auf-Isolator-Technologie (SOI) und ihre Anwendungen bei der Entwicklung leistungsstarker und energieeffizienter Bauelemente. Nanoschaltungen-Erforscht die Grundlagen der Nanoschaltungen und betont ihre Rolle bei der Entwicklung schnellerer und kleinerer elektronischer Bauelemente. Integrierte Schaltungen-Eine umfassende Untersuchung integrierter Schaltungen, ihrer Entwicklung und ihrer grundlegenden Rolle bei der Gestaltung moderner Elektronik.
Verfügbar seit: 13.03.2025.
Drucklänge: 280 Seiten.
