分子線エピタキシー - 高性能デバイスのためのナノスケール材料の進歩
Fouad Sabry
Traducteur Kei Imano
Maison d'édition: 10億人の知識があります [Japanese]
Synopsis
ナノエレクトロニクスの世界は急速に進化しており、この分野の背後にある最先端の技術を理解することは、専門家、学生、愛好家のいずれにとっても不可欠です。「分子線エピタキシー」は、現代のナノエレクトロニクスを形成する複雑なプロセスを詳しく知りたい人にとって欠かせないリソースです。この本は、分子線エピタキシー (mbe) やその他の高度な材料合成方法で使用される技術について、基礎知識と詳細な洞察の両方を提供します。 章の概要: 1: 分子線エピタキシー: mbe の基礎と、高品質の薄膜を製造する上でのその重要性を探ります。 2: iq: 半導体デバイスにおける内部量子効率の重要性と、それがパフォーマンスに与える影響を理解します。 3: 化学ビームエピタキシー: mbe のバリエーションである cbe と、複雑な材料の成長におけるその利点について学びます。 4: グラフェン製造技術: 将来のナノエレクトロニクスにとって重要な材料であるグラフェンを製造するために使用されるさまざまな方法を詳しく調べます。 5: 物理蒸着法: 薄膜堆積のための pvd 技術と半導体製造におけるその関連性について学びます。 6: メムス: 現代のナノエレクトロニクスとその応用におけるマイクロエレクトロメカニカル システムの役割を理解します。 7: エピタキシャル ウェーハ: 高品質の半導体層の成長におけるエピタキシャル ウェーハの使用について理解を深めます。 8: 熱レーザー エピタキシー: 材料特性を正確に制御しながら薄膜を堆積するこの革新的な技術について学びます。 9: 六方晶窒化ホウ素の合成: ナノエレクトロニクスに不可欠な材料である六方晶窒化ホウ素の合成方法を探ります。 10: 気相・液相・固相法: ナノエレクトロニクス デバイスの主要コンポーネントであるナノワイヤを成長させる ｖｌｓ 技術について詳しく学びます。 11: 窒化ガリウム: パワー エレクトロニクスとオプトエレクトロニクスにおける窒化ガリウムの役割を理解します。 12: スパッタ堆積: ナノエレクトロニクスにおける薄膜堆積の多用途技術としてのスパッタリングについて学びます。 13: インジウムガリウムヒ素: インジウムガリウムヒ素の特性と高速デバイスでの応用について学びます。 14: バンドギャップエンジニアリング: バンドギャップエンジニアリングの概念と半導体材料の最適化におけるその重要性について学びます。 15: 薄膜: 薄膜堆積の基礎と現代のナノエレクトロニクスでのその応用について学びます。 16: 半導体デバイス製造: ナノエレクトロニクスデバイスの製造に不可欠な半導体製造の主要プロセスを理解します。 17: ガリウムヒ素: 高性能デバイスとオプトエレクトロニクスにおけるガリウムヒ素の使用について学びます。 18: エピタキシー: 高品質の結晶材料を成長させる重要なプロセスであるエピタキシーの原理と技術について学びます。 19: 選択領域エピタキシー: 選択領域エピタキシーと、特定の領域での材料の成長を制御するその能力について学びます。 20: ストランスキ-クラスタノフ成長: 半導体デバイスで高品質のヘテロ構造を作成するために使用されるこの成長モードを調べます。 21: パルスレーザー堆積: 材料特性を正確に制御して薄膜を作成するために使用されるパルスレーザー堆積技術を理解します。 この本は、ナノエレクトロニクスの分野にいる人にとって必携の書です。始めたばかりの学生でも、経験豊富な専門家でも、電子デバイスの未来を形作る技術を理解するための貴重なリソースを提供します。mbe と関連技術を詳細にカバーしたこの本は、あなたの知識を豊かにし、拡大し続けるナノエレクトロニクスの世界で新しい可能性を切り開きます。
Disponible depuis: 16/03/2025.
Longueur d'impression: 274 pages.
