Épitaxie par jets moléculaires - Développement de matériaux à l'échelle nanométrique pour des dispositifs à hautes performances
Fouad Sabry
Übersetzer Nicholas Souplet
Beschreibung
Le monde de la nanoélectronique évolue rapidement et il est essentiel pour les professionnels, les étudiants et les passionnés de comprendre les technologies de pointe qui sous-tendent ce domaine. « Molecular Beam Epitaxy » est une ressource indispensable pour quiconque souhaite se plonger dans les processus complexes qui façonnent la nanoélectronique moderne. Ce livre fournit à la fois des connaissances fondamentales et des informations détaillées sur les techniques utilisées dans l'épitaxie par jets moléculaires (MBE) et d'autres méthodes avancées de synthèse de matériaux. Épitaxie par jets moléculaires-découvrez les bases de l'épitaxie par jets moléculaires (MBE) et son importance dans la fabrication de films minces de haute qualité. IQE-comprenez l'importance de l'efficacité quantique interne dans les dispositifs semi-conducteurs et son impact sur les performances. Épitaxie par jets chimiques-découvrez l'épitaxie par jets chimiques (CBE), une variante de l'épitaxie par jets moléculaires (MBE), et ses avantages dans la croissance de matériaux complexes. Techniques de production de graphène-découvrez les différentes méthodes utilisées pour produire du graphène, un matériau crucial pour la future nanoélectronique. Dépôt physique en phase vapeur-découvrez la technique PVD pour le dépôt de couches minces et sa pertinence dans la fabrication de semi-conducteurs. MEMS-comprenez le rôle des systèmes microélectromécaniques dans la nanoélectronique moderne et leurs applications. Plaquette épitaxiale-découvrez l'utilisation des plaquettes épitaxiales pour la croissance de couches semi-conductrices de haute qualité. Épitaxie laser thermique-découvrez cette technique innovante de dépôt de couches minces avec un contrôle précis des propriétés du matériau. Synthèse du nitrure de bore hexagonal-explorez les méthodes de synthèse du nitrure de bore hexagonal, un matériau essentiel pour la nanoélectronique. Méthode vapeur-liquide-solide-découvrez la technique VLS pour la croissance de nanofils, un composant clé des dispositifs nanoélectroniques. Nitrure de gallium-comprenez le rôle du nitrure de gallium dans l'électronique de puissance et l'optoélectronique. Dépôt par pulvérisation cathodique-découvrez la pulvérisation cathodique comme une technique polyvalente pour le dépôt de couches minces en nanoélectronique. Arséniure d'indium et de gallium-découvrez les propriétés de l'arséniure d'indium et de gallium et ses applications dans les dispositifs à grande vitesse. Ingénierie de la bande interdite-découvrez le concept d'ingénierie de la bande interdite et son importance dans l'optimisation des matériaux semi-conducteurs. Couche mince-étudiez les principes fondamentaux du dépôt de couches minces et son application dans la nanoélectronique moderne. Fabrication de dispositifs semi-conducteurs-comprenez les processus clés de la fabrication de semi-conducteurs, essentiels pour la fabrication de dispositifs nanoélectroniques. Arséniure de gallium-découvrez l'utilisation de l'arséniure de gallium dans les dispositifs hautes performances et l'optoélectronique. Épitaxie-explorez les principes et les techniques de l'épitaxie, un processus crucial dans la croissance de matériaux cristallins de haute qualité. Épitaxie sélective de zone-découvrez l'épitaxie sélective de zone et sa capacité à contrôler la croissance des matériaux sur des régions spécifiques. Croissance Stranski–Krastanov-explorez ce mode de croissance utilisé pour créer des hétérostructures de haute qualité dans les dispositifs semi-conducteurs. Dépôt par laser pulsé-comprenez la technique de dépôt par laser pulsé, utilisée pour créer des films minces avec un contrôle précis des propriétés des matériaux.
Verfügbar seit: 17.03.2025.
Drucklänge: 274 Seiten.
