Dispositivo multipuerta - Avances en la tecnología de transistores a nanoescala
Fouad Sabry
Übersetzer Guilherme Costa
Beschreibung
"Dispositivo Multipuerta" ofrece una exploración exhaustiva de los avances más vanguardistas en nanoelectrónica. Este recurso esencial ayudará a profesionales, estudiantes y entusiastas a comprender de forma crucial las tecnologías de semiconductores que están dando forma al futuro. Tanto si trabaja en la industria, como si estudia a nivel académico o simplemente le fascina la nanoelectrónica, este libro le ofrece conocimientos indispensables para profundizar en su comprensión. Dispositivo Multipuerta-Introducción a los principios y la estructura de los dispositivos multipuerta, explorando su importancia en las tecnologías modernas de semiconductores. Proceso de 3 nm-Análisis detallado de la tecnología de proceso de 3 nm, destacando su papel en la reducción del tamaño de los dispositivos y la mejora del rendimiento. Proceso de 7 nm-Explora el proceso de 7 nm, sus avances tecnológicos y sus implicaciones para el escalado de transistores. Memoria flash con trampa de carga-Examina la tecnología de memoria flash con trampa de carga, analizando su eficiencia y relevancia en las soluciones de almacenamiento de próxima generación. Transistor-Un análisis exhaustivo de los transistores, su funcionamiento y su papel fundamental en el campo de la nanoelectrónica. Proceso de 22 nm-Se centra en el proceso de 22 nm, ofreciendo información sobre su desarrollo e impacto en el diseño y el rendimiento de los transistores. Transistor de efecto de campo-Analiza los transistores de efecto de campo (FET), su estructura y su importancia en la nanoelectrónica moderna. Proceso de 2 nm-Presenta el proceso de 2 nm, explicando cómo amplía los límites de la miniaturización de semiconductores. Proceso de 45 nm-Abarca el proceso de 45 nm, un hito clave en el desarrollo de semiconductores, y su papel en la mejora del rendimiento de los chips. Proceso de 90 nm-Explora el proceso de 90 nm y su contribución a la escalabilidad de los dispositivos semiconductores. Ley de Moore-Un análisis de la Ley de Moore, examinando su relevancia actual y los desafíos que enfrenta en el contexto de las tendencias tecnológicas actuales. 12-Fabricación de dispositivos semiconductores-Resumen de los métodos utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores, incluyendo los desafíos y avances en esta área. SONOS-Análisis detallado de la tecnología SONOS (SiliconOxideNitrideOxideSilicon) y sus aplicaciones en dispositivos de memoria no volátil. Fujio Masuoka-Homenaje a Fujio Masuoka, pionero en el desarrollo de dispositivos de memoria, destacando sus contribuciones a la tecnología de semiconductores. Proceso de 5 nm-Se analiza el proceso de 5 nm, sus avances con respecto a generaciones anteriores y su impacto en el rendimiento y la eficiencia energética de los dispositivos. Proceso de 14 nm-Se examina el proceso de 14 nm, sus características clave y cómo ha permitido un mayor progreso en dispositivos semiconductores de alto rendimiento. Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos-Se destaca la importancia de la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos (IEDM) para el avance de la investigación en tecnología de semiconductores. Transistor de efecto de campo Fin-Una mirada a la tecnología FinFET, sus ventajas sobre los FET planares tradicionales y su impacto en el escalado de transistores. Silicio sobre aislante-Analiza el concepto de la tecnología de silicio sobre aislante (SOI) y sus aplicaciones en la creación de dispositivos de alto rendimiento y eficiencia energética. Nanocircuitería-Explora los fundamentos de la nanocircuitería, destacando su papel en el desarrollo de dispositivos electrónicos más rápidos y pequeños. Circuito integrado-Un análisis exhaustivo de los circuitos integrados, su evolución y su papel fundamental en la configuración de la electrónica moderna.
Verfügbar seit: 13.03.2025.
Drucklänge: 280 Seiten.
