Dispositivo multigate - Progressi nella tecnologia dei transistor su scala nanometrica
Fouad Sabry
Traduttore Cosimo Pinto
Casa editrice: Un Miliardo Di Ben Informato [Italian]
Sinossi
Dispositivo multigate-un'introduzione ai principi e alla struttura dei dispositivi multigate, esplorando la loro importanza nelle moderne tecnologie dei semiconduttori. Processo a 3 nm-uno sguardo dettagliato alla tecnologia di processo a 3 nm, evidenziando il suo ruolo nella riduzione delle dimensioni dei dispositivi e nel miglioramento delle prestazioni. Processo a 7 nm-esplora il processo a 7 nm, i suoi progressi tecnologici e le sue implicazioni per il ridimensionamento dei transistor. Flash a trappola di carica-esamina la tecnologia della memoria flash a trappola di carica, discutendone l'efficienza e la rilevanza nelle soluzioni di archiviazione di prossima generazione. Transistor-una ripartizione completa dei transistor, del loro funzionamento e del loro ruolo fondamentale nel campo della nanoelettronica. Processo a 22 nm-si concentra sul processo a 22 nm, offrendo approfondimenti sul suo sviluppo e impatto sulla progettazione e sulle prestazioni dei transistor. Transistor a effetto di campo-discute i transistor a effetto di campo (FET), la loro struttura e il loro significato nella moderna nanoelettronica. Processo a 2 nm-introduce il processo a 2 nm, discutendo di come spinge i confini della miniaturizzazione dei semiconduttori. Processo a 45 nm-copre il processo a 45 nm, una pietra miliare fondamentale nello sviluppo dei semiconduttori e il suo ruolo nel migliorare le prestazioni dei chip. Processo a 90 nm-esplora il processo a 90 nm e il suo contributo alla scalabilità dei dispositivi a semiconduttore. Legge di Moore-un'analisi della legge di Moore, esaminandone la rilevanza odierna e le sfide che deve affrontare nel contesto delle attuali tendenze tecnologiche. Fabbricazione di dispositivi semiconduttori-una panoramica dei metodi utilizzati nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori, comprese le sfide e le innovazioni in questo settore. SONOS-una discussione dettagliata sulla tecnologia SONOS (SiliconOxideNitrideOxideSilicon) e le sue applicazioni nei dispositivi di memoria non volatile. Fujio Masuoka-un omaggio a Fujio Masuoka, un pioniere nello sviluppo di dispositivi di memoria, evidenziando i suoi contributi alla tecnologia dei semiconduttori. Processo a 5 nm-discute il processo a 5 nm, i suoi progressi rispetto alle generazioni precedenti e il suo impatto sulle prestazioni del dispositivo e sull'efficienza energetica. Processo a 14 nm-esamina il processo a 14 nm, le sue caratteristiche principali e come ha consentito ulteriori progressi nei dispositivi semiconduttori ad alte prestazioni. International Electron Devices Meeting-evidenzia l'importanza dell'International Electron Devices Meeting (IEDM) nel promuovere la ricerca sulla tecnologia dei semiconduttori. Fin fieldeffect transistor-uno sguardo alla tecnologia FinFET, ai suoi vantaggi rispetto ai tradizionali FET planari e al suo impatto sulla scalabilità dei transistor. Silicon on insulator-discute il concetto di tecnologia silicononinsulator (SOI) e le sue applicazioni nella creazione di dispositivi ad alte prestazioni ed efficienza energetica. Nanocircuitry-esplora i fondamenti dei nanocircuitry, sottolineandone il ruolo nello sviluppo di dispositivi elettronici più veloci e più piccoli. Integrated circuit-un esame completo dei circuiti integrati, della loro evoluzione e del loro ruolo fondamentale nel plasmare l'elettronica moderna.
Disponibile da: 13/03/2025.
Lunghezza di stampa: 280 pagine.
