Épitaxie par jets moléculaires - Développement de matériaux à l'échelle nanométrique pour des dispositifs à hautes performances
Fouad Sabry
Traduttore Nicholas Souplet
Casa editrice: Un Milliard De Personnes Informées [French]
Sinossi
Le monde de la nanoélectronique évolue rapidement et il est essentiel pour les professionnels, les étudiants et les passionnés de comprendre les technologies de pointe qui sous-tendent ce domaine. « Molecular Beam Epitaxy » est une ressource indispensable pour quiconque souhaite se plonger dans les processus complexes qui façonnent la nanoélectronique moderne. Ce livre fournit à la fois des connaissances fondamentales et des informations détaillées sur les techniques utilisées dans l'épitaxie par jets moléculaires (MBE) et d'autres méthodes avancées de synthèse de matériaux. Épitaxie par jets moléculaires-découvrez les bases de l'épitaxie par jets moléculaires (MBE) et son importance dans la fabrication de films minces de haute qualité. IQE-comprenez l'importance de l'efficacité quantique interne dans les dispositifs semi-conducteurs et son impact sur les performances. Épitaxie par jets chimiques-découvrez l'épitaxie par jets chimiques (CBE), une variante de l'épitaxie par jets moléculaires (MBE), et ses avantages dans la croissance de matériaux complexes. Techniques de production de graphène-découvrez les différentes méthodes utilisées pour produire du graphène, un matériau crucial pour la future nanoélectronique. Dépôt physique en phase vapeur-découvrez la technique PVD pour le dépôt de couches minces et sa pertinence dans la fabrication de semi-conducteurs. MEMS-comprenez le rôle des systèmes microélectromécaniques dans la nanoélectronique moderne et leurs applications. Plaquette épitaxiale-découvrez l'utilisation des plaquettes épitaxiales pour la croissance de couches semi-conductrices de haute qualité. Épitaxie laser thermique-découvrez cette technique innovante de dépôt de couches minces avec un contrôle précis des propriétés du matériau. Synthèse du nitrure de bore hexagonal-explorez les méthodes de synthèse du nitrure de bore hexagonal, un matériau essentiel pour la nanoélectronique. Méthode vapeur-liquide-solide-découvrez la technique VLS pour la croissance de nanofils, un composant clé des dispositifs nanoélectroniques. Nitrure de gallium-comprenez le rôle du nitrure de gallium dans l'électronique de puissance et l'optoélectronique. Dépôt par pulvérisation cathodique-découvrez la pulvérisation cathodique comme une technique polyvalente pour le dépôt de couches minces en nanoélectronique. Arséniure d'indium et de gallium-découvrez les propriétés de l'arséniure d'indium et de gallium et ses applications dans les dispositifs à grande vitesse. Ingénierie de la bande interdite-découvrez le concept d'ingénierie de la bande interdite et son importance dans l'optimisation des matériaux semi-conducteurs. Couche mince-étudiez les principes fondamentaux du dépôt de couches minces et son application dans la nanoélectronique moderne. Fabrication de dispositifs semi-conducteurs-comprenez les processus clés de la fabrication de semi-conducteurs, essentiels pour la fabrication de dispositifs nanoélectroniques. Arséniure de gallium-découvrez l'utilisation de l'arséniure de gallium dans les dispositifs hautes performances et l'optoélectronique. Épitaxie-explorez les principes et les techniques de l'épitaxie, un processus crucial dans la croissance de matériaux cristallins de haute qualité. Épitaxie sélective de zone-découvrez l'épitaxie sélective de zone et sa capacité à contrôler la croissance des matériaux sur des régions spécifiques. Croissance Stranski–Krastanov-explorez ce mode de croissance utilisé pour créer des hétérostructures de haute qualité dans les dispositifs semi-conducteurs. Dépôt par laser pulsé-comprenez la technique de dépôt par laser pulsé, utilisée pour créer des films minces avec un contrôle précis des propriétés des matériaux.
